对比图
型号 2N7002-7-F BSS145 2N7002ET1G
描述 2N7002-7-F 编带SIPMOS小信号晶体管（ N沟道增强模式） SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode)ON SEMICONDUCTOR 2N7002ET1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 310 mA, 60 V, 0.86 ohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 Diodes (美台) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3
无卤素状态 - - Halogen Free
通道数 - - 1
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 13.5 Ω - 0.86 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 300 mW - 420 mW
阈值电压 2.5 V - 1 V
输入电容 - - 26.7 pF
漏源极电压(Vds) 60 V 65 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 115 mA 0.22A 310 mA
上升时间 3 ns - 1.2 ns
正向电压(Max) - - 1.2 V
输入电容(Ciss) 50pF @25V(Vds) - 26.7pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 300 mW - 300 mW
下降时间 5.6 ns - 3.6 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 370mW (Ta) - 300 mW
额定电压(DC) 60.0 V - -
额定电流 115 mA - -
额定功率 0.3 W - -
漏源击穿电压 70.0 V - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
长度 2.9 mm - 2.9 mm
宽度 1.3 mm - 1.3 mm
高度 1 mm - 0.94 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17 - 2015/12/17
军工级 Yes - -
ECCN代码 EAR99 - EAR99