对比图
型号 IRFF230 JAN2N6798 JANTX2N6798
描述 TO-39 N-CH 200V 5.5A每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百五十七分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百五十七分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-39 TO-205 TO-39
耗散功率 - 800mW (Ta), 25W (Tc) 0.8 W
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 25000 mW 800mW (Ta), 25W (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc)
极性 N-CH - -
连续漏极电流(Ids) 5.5A - -
输入电容(Ciss) 600pF @25V(Vds) - -
封装 TO-39 TO-205 TO-39
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 - Bulk -
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 - Contains Lead Contains Lead