对比图
型号 RFP12N10L RFP50N06 RFP70N06
描述 ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET RFP12N10L, 12 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装ON Semiconductor MegaFET 系列 Si N沟道 MOSFET RFP50N06, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.2 Ω 0.022 Ω 0.014 Ω
耗散功率 60 W 131 W 150 W
阈值电压 2 V 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 100 V 60 V 60 V
上升时间 70 ns 55 ns 137 ns
输入电容(Ciss) 900pF @25V(Vds) 2020pF @25V(Vds) 2250pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 60 W 131 W 150 W
下降时间 80 ns 13 ns 24 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 60000 mW 131 W 150 W
长度 10.67 mm 10.67 mm 10.67 mm
宽度 4.83 mm 4.83 mm 4.83 mm
高度 9.4 mm 9.4 mm 9.4 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Rail, Tube Tube Rail, Tube
RoHS标准
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free