BSC052N03SG和BSC0909NSATMA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSC052N03SG BSC0909NSATMA1 BSC0909NS

描述 OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS?2 Power-Transistor晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 34 V, 0.0077 ohm, 10 V, 2 V30V,9.2mΩ,44A,N沟道功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 晶体管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 8

封装 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8

通道数 - - 1

漏源极电阻 - 0.0077 Ω 7.7 mΩ

极性 - N-CH N-Channel

耗散功率 - 2.5 W 2.5 W

漏源极电压(Vds) 30.0 V 34 V 34 V

漏源击穿电压 - - 34 V

连续漏极电流(Ids) 80.0 A 12A 12A

上升时间 - 4.4 ns 4.4 ns

输入电容(Ciss) - 1110pF @15V(Vds) 1110pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - - 27 W

下降时间 - 5.4 ns 5.4 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 2.8W (Ta), 54W (Tc) 2.5W (Ta), 27W (Tc) 2.5W (Ta), 27W (Tc)

额定功率 - 27 W -

针脚数 - 8 -

阈值电压 - 2 V -

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 80.0 A - -

输入电容 2.82 nF - -

栅电荷 22.0 nC - -

长度 - 5.9 mm 5.9 mm

宽度 - 5.15 mm 5.15 mm

高度 - 1.27 mm 1.27 mm

封装 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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