对比图
型号 MJE13004 MJE13005G 2N6469
描述 2W Medium Power NPN Plastic Leaded Transistor. 300V Vceo, 4A Ic, 10 - 60 hFE.4安培NPN硅功率晶体管400伏 - 75瓦 4 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTOR 400 VOLTS − 75 WATTSPOWER TRANSISTORS TO-3 CASE
数据手册 ---
制造商 Continental Device ON Semiconductor (安森美) Central Semiconductor
分类 双极性晶体管
封装 - TO-220-3 TO-204
安装方式 - Through Hole -
引脚数 - 3 -
封装 - TO-220-3 TO-204
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 - Tube -
频率 - 4 MHz -
额定电压(DC) - 400 V -
额定电流 - 4.00 A -
极性 - NPN -
耗散功率 - 2 W -
击穿电压(集电极-发射极) - 400 V -
热阻 - 1.67℃/W (RθJC) -
集电极最大允许电流 - 4A -
最小电流放大倍数(hFE) - 8 @2A, 5V -
额定功率(Max) - 2 W -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -65 ℃ -
耗散功率(Max) - 75000 mW -
材质 - Silicon -
工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -
含铅标准 - Lead Free -
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 - EAR99 -