对比图
型号 IRF8113PBF SI4156DY-T1-GE3 IRF8113TRPBF
描述 INFINEON IRF8113PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 17.2 A, 30 V, 5.6 mohm, 10 V, 2.2 VVISHAY SI4156DY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 30 V, 0.0048 ohm, 10 V, 2.2 VINFINEON IRF8113TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 17.2 A, 30 V, 0.0047 ohm, 10 V, 2.2 V 新
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8
额定电压(DC) - - 30.0 V
额定电流 - - 16.6 A
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.0056 Ω 0.0048 Ω 5.6 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W
产品系列 - - IRF8113
阈值电压 2.2 V 2.2 V 2.2 V
输入电容 2910pF @15V - 2910 pF
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 17.2A 24.0 A 17.2 A
上升时间 8.9 ns 20 ns 8.9 ns
输入电容(Ciss) 2910pF @15V(Vds) - 2910pF @15V(Vds)
额定功率(Max) - - 2.5 W
下降时间 3.5 ns 15 ns 3.5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) - 2.5W (Ta)
额定功率 2.5 W - -
漏源击穿电压 30 V - -
长度 4.9 mm - 5 mm
宽度 3.9 mm - 3.9 mm
高度 1.75 mm - 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete - Active
包装方式 Rail, Tube Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 -
REACH SVHC标准 - No SVHC -