对比图
描述 IRFL4310TR N沟道MOSFET 2.2A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 FL4310 低栅极电荷/极低的RDS/高功率和电流绫能力STMICROELECTRONICS STN2NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 100 V, 0.23 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 --
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 TO-261-4 TO-261-4
引脚数 - 4
额定电压(DC) 100 V 100 V
额定电流 2.20 A 2.00 A
耗散功率 2.1 W 3.3 W
产品系列 IRFL4310 -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 2.20 A 2.00 A
上升时间 18.0 ns 10 ns
输入电容(Ciss) 330pF @25V(Vds) 280pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1 W 3.3 W
通道数 - 1
针脚数 - 4
漏源极电阻 - 0.23 Ω
极性 - N-Channel
阈值电压 - 4 V
漏源击穿电压 - 100 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V
下降时间 - 3 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 3.3W (Tc)
封装 TO-261-4 TO-261-4
长度 - 6.5 mm
宽度 - 3.5 mm
高度 - 1.8 mm
产品生命周期 End of Life Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2014/06/16
工作温度 - -55℃ ~ 150℃
ECCN代码 - EAR99