IRFP054NPBF和IRFP054PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFP054NPBF IRFP054PBF

描述 N沟道,55V,81A,12mΩ@10V功率MOSFET Power MOSFET

数据手册 --

制造商 International Rectifier (国际整流器) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) 55.0 V 60.0 V

额定电流 81.0 A 70.0 A

漏源极电阻 0.012 Ω 14.0 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 170 W 230 W

产品系列 IRFP054N -

阈值电压 4 V -

输入电容 2900pF @25V -

漏源极电压(Vds) 55 V 60 V

漏源击穿电压 55 V 60.0 V

连续漏极电流(Ids) 81.0 A 70.0 A

上升时间 66.0 ns 160 ns

输入电容(Ciss) 2900pF @25V(Vds) 4500pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 170 W 230 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

额定功率 - 230 W

栅源击穿电压 - ±20.0 V

下降时间 - 150 ns

耗散功率(Max) - 230 W

长度 15.87 mm 15.87 mm

高度 20.7 mm 20.82 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3

宽度 - 5.31 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

最小包装 - 500

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2014/12/17 -

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