对比图
型号 APT6029BFLLG APT6029BLLG STW21NM60ND
描述 TO-247 N-CH 600V 21A功率MOS 7 MOSFETc POWER MOS 7 MOSFETcSTMICROELECTRONICS STW21NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-247 TO-247-3 TO-247-3
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.17 Ω
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 300 W 300 W 140 W
阈值电压 - - 4 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
上升时间 5 ns - 16 ns
输入电容(Ciss) 2615pF @25V(Vds) - 1800pF @50V(Vds)
额定功率(Max) - - 140 W
下降时间 4 ns - 48 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 300000 mW - 140W (Tc)
额定电压(DC) 600 V 600 V -
额定电流 21.0 A 21.0 A -
输入电容 2.61 nF 2.61 nF -
栅电荷 65.0 nC 65.0 nC -
连续漏极电流(Ids) 21.0 A 21.0 A -
长度 - - 15.75 mm
宽度 - - 5.15 mm
高度 - - 20.15 mm
封装 TO-247 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 - - 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Rail, Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99