BCW31,215和BCW32LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCW31,215 BCW32LT1G BC848ALT1G

描述 TO-236AB NPN 32V 0.1AON SEMICONDUCTOR  BCW32LT1G  单晶体管 双极, NPN, 32 V, 225 mW, 100 mA, 200 hFEON SEMICONDUCTOR  BC848ALT1G  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 110 hFE

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) - 32.0 V 30.0 V

额定电流 - 100 mA 100 mA

针脚数 - 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 250 mW 225 mW 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) 32 V 32 V 30 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 110 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V 110 @2mA, 5V

额定功率(Max) 250 mW 225 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) 190 200 110

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -50 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 250 mW 225 mW 300 mW

频率 100 MHz - 100 MHz

无卤素状态 - - Halogen Free

长度 - 3.04 mm 3.04 mm

宽度 - 1.4 mm 2.64 mm

高度 1 mm 1.11 mm 1.11 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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