BSO220N03MSG和FDS6630A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSO220N03MSG FDS6630A FDS6612A

描述 的OptiMOS ™ 3 M系列功率MOSFET OptiMOS?3 M-Series Power-MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6630A  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 30 V, 38 mohm, 10 V, 1.7 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6612A  晶体管, MOSFET, N沟道, 8.4 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.9 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 8

封装 - SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) - 30.0 V 30.0 V

额定电流 - 6.50 A 8.40 A

通道数 - 1 -

针脚数 - 8 8

漏源极电阻 - 38 mΩ 0.019 Ω

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 - 2.5 W 2.5 W

阈值电压 - 1.7 V 1.9 V

输入电容 - 460 pF 560 pF

栅电荷 - 5.00 nC 5.40 nC

漏源极电压(Vds) - 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30.0 V 30.0 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - 6.50 A 8.40 A

上升时间 - 8 ns 5 ns

输入电容(Ciss) - 460pF @15V(Vds) 560pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - 1 W 1 W

下降时间 - 13 ns 3 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

长度 - 4.9 mm -

宽度 - 3.9 mm -

高度 - 1.575 mm -

封装 - SOIC-8 SOIC-8

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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