STI14NM65N和STP11NM65N

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STI14NM65N STP11NM65N STB11NM65N

描述 N沟道650 V, 0.33 Ω , 12一个的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 , TO- 220FP , D2PAK , I2PAK , TO- 247 N-channel 650 V, 0.33 Ω, 12 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247N沟道650 V, 0.425 I©典型值,11是MDmeshâ ?? ¢ II功率MOSFET采用DPAK , TO- 220FP , I²PAKFP和TO- 220封装 N-channel 650 V, 0.425 Ω typ., 11 A MDmesh™II Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, I²PAKFP and TO-220 packagesD2PAK N-CH 650V 12A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

封装 TO-262-3 TO-220-3 D2PAK

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

极性 N-Channel - N-CH

漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V

连续漏极电流(Ids) 6.00 A - 12A

耗散功率 125W (Tc) 125 W -

上升时间 - 13 ns -

输入电容(Ciss) 1300pF @50V(Vds) 800pF @50V(Vds) -

额定功率(Max) - 110 W -

下降时间 - 20 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) 125W (Tc) 110W (Tc) -

封装 TO-262-3 TO-220-3 D2PAK

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 - Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

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