BC212B和BC308C

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC212B BC308C BC212

描述 0.35W General Purpose PNP Plastic Leaded Transistor. 50V Vceo, 0.1A Ic, 40 - hFPNP外延硅晶体管 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR流程63 PNP中功率 Process 63 PNP Medium Power

数据手册 ---

制造商 Continental Device Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

封装 - TO-92-3 TO-92-3

引脚数 - 3 -

额定电压(DC) - -25.0 V -50.0 V

额定电流 - -100 mA -300 mA

击穿电压(集电极-发射极) - 25 V 50 V

最小电流放大倍数(hFE) - 380 @2mA, 5V 60 @2mA, 5V

额定功率(Max) - 500 mW 625 mW

耗散功率 - 0.5 W -

增益频宽积 - 130 MHz -

最大电流放大倍数(hFE) - 800 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

封装 - TO-92-3 TO-92-3

长度 - 4.58 mm -

宽度 - 3.86 mm -

高度 - 4.58 mm -

工作温度 - 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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