对比图
型号 FDS8880 IRF8714PBF STS12NF30L
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8880 晶体管, MOSFET, N沟道, 11.6 A, 30 V, 0.0079 ohm, 10 V, 2.5 VINFINEON IRF8714PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 8.7 mohm, 10 V, 1.8 VSTMICROELECTRONICS STS12NF30L 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 30 V, 0.008 ohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V
额定电流 11.6 A - 12.0 A
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.0079 Ω 0.0087 Ω 0.008 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W
阈值电压 2.5 V 1.8 V 1 V
输入电容 1.23 nF - -
栅电荷 23.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V 30 V 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - ±16.0 V
连续漏极电流(Ids) 11.6 A 14A 12.0 A
上升时间 27 ns 9.9 ns 90 ns
输入电容(Ciss) 1235pF @15V(Vds) 1020pF @15V(Vds) 2400pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 2.5 W
下降时间 15 ns 5 ns 35 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2500 mW
通道数 - 1 1
额定功率 - 2.5 W -
长度 5 mm 5 mm 5 mm
宽度 4 mm 4 mm 4 mm
高度 1.5 mm 1.5 mm 1.25 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -