N25S830HAS22IT和N25S830HAT22I

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 N25S830HAS22IT N25S830HAT22I 23K256-I/SN

描述 256KB低功耗串行SRAM的32K 】 8位组织 256Kb Low Power Serial SRAMs 32K × 8 bit OrganizationON SEMICONDUCTOR  N25S830HAT22I  芯片, 存储器, SRAM, 256Kb, 串行口, 20MHz, TSSOP-8RAM,Microchip### SRAM(静态随机存取存储器)

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Microchip (微芯)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 TSSOP-8 SOIC-8

频率 - 16.0 MHz 20.0 MHz

电源电压(DC) - 2.70V (min) 2.70V (min)

无卤素状态 - Halogen Free -

针脚数 - 8 8

时钟频率 - 20 MHz 20 MHz

位数 8 8 8

存取时间 25 ns 25 ns -

内存容量 - 32000 B 4000 B

存取时间(Max) 25 ns 25 ns 25 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V 3.6 V

电源电压(Min) 2.7 V 2.7 V 2.7 V

供电电流 10 mA - -

工作电压 - - 2.7V ~ 3.6V

长度 - 4.5 mm 4.9 mm

宽度 - 3.1 mm 3.9 mm

高度 - 1.05 mm 1.25 mm

封装 SOIC-8 TSSOP-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Each Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

HTS代码 - - 8542320051

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