MPS3563G和MPSH10

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MPS3563G MPSH10 MMBT918

描述 放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN SiliconOn Semiconductor Transistor, Type: Silicon NPN, Voltage: 25V, Current: 40mA, Power: 0.35W, Frequency: 650MHzt-Npn Si- Vhf

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NTE Electronics NTE Electronics

分类 双极性晶体管分立器件分立器件

基础参数对比

安装方式 Through Hole - -

封装 TO-226-3 - -

额定电压(DC) 12.0 V - -

额定电流 50.0 mA - -

极性 N-Channel - -

耗散功率 850 mW - -

击穿电压(集电极-发射极) 12 V - -

最小电流放大倍数(hFE) 20 @8mA, 10V - -

额定功率(Max) 350 W - -

封装 TO-226-3 - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Bulk - -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free - -

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