对比图
型号 IRF720B STP80NF55-06 IRF720PBF
描述 400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS STP80NF55-06 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V功率MOSFET Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 - 3 3
漏源极电阻 1.75 Ω 0.0065 Ω 1.8 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 49 W 300 W 50 W
漏源极电压(Vds) 400 V 55 V 400 V
漏源击穿电压 50.0 V 55.0 V -
栅源击穿电压 ±30.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 3.30 A 80.0 A 3.30 A
额定功率 - - 50 W
针脚数 - 3 3
阈值电压 - 3 V 4 V
输入电容(Ciss) - 4400pF @25V(Vds) 410pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 300 W 50 W
工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 300W (Tc) 50 W
额定电压(DC) - 55.0 V -
额定电流 - 80.0 A -
通道数 - 1 -
上升时间 - 155 ns -
下降时间 - 65 ns -
封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3
长度 - 10.4 mm 10.41 mm
宽度 - 4.6 mm 4.7 mm
高度 - 9.15 mm 9.01 mm
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Rail, Tube Tube Tube
最小包装 - - 50
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
ECCN代码 EAR99 - -
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)