对比图
型号 SI7129DN-T1-GE3 SI7409ADN-T1-E3 BSO200P03SHXUMA1
描述 SI7129DN-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor, 11.5A, 30V, 8Pin PowerPAK 1212MOSFET P-CH 30V 7A 1212-8Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSO200P03SHXUMA1, 7.4 A, Vds=30 V, 8引脚 DSO封装
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 PowerPAK-1212-8 PowerPAK-1212-8 PG-DSO-8
引脚数 - - 8
耗散功率 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) 1.5W (Ta) 2.36 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
输入电容(Ciss) 3345pF @15V(Vds) - 2330pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) 1.5W (Ta) 1.56W (Ta)
额定功率 - - 1.56 W
极性 - - P-CH
连续漏极电流(Ids) - - 7.4A
上升时间 - - 11 ns
额定功率(Max) - - 1.56 W
下降时间 - - 33 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
长度 3.3 mm 3.3 mm 5 mm
宽度 3.3 mm 3.3 mm 4 mm
高度 1.04 mm 1.04 mm 1.65 mm
封装 PowerPAK-1212-8 PowerPAK-1212-8 PG-DSO-8
工作温度 -50℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 - - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅
ECCN代码 - - EAR99