对比图
型号 FDN352AP NDS352P IRLML9303TRPBF
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN352AP 晶体管, MOSFET, P沟道, -1.3 A, -30 V, 180 mohm, -10 V, -2 VP沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorP 通道功率 MOSFET 最大 7A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
额定功率 - - 1.25 W
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 180 mΩ 460 mΩ 0.135 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-CH
耗散功率 500 mW 500mW (Ta) 1.25 W
阈值电压 - - 1.3 V
漏源极电压(Vds) 30 V 20 V 30 V
连续漏极电流(Ids) -1.30 A -850 mA to 850 mA 2.3A
上升时间 15 ns - 14 ns
输入电容(Ciss) 150pF @15V(Vds) 125pF @10V(Vds) 160pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 460 mW 460 mW 1.25 W
下降时间 1 ns - 8.6 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 1250 mW
额定电压(DC) -30.0 V -20.0 V -
额定电流 -1.30 A -850 mA -
栅源击穿电压 ±25.0 V ±12.0 V -
通道数 1 - -
输入电容 150 pF - -
栅电荷 1.40 nC - -
长度 2.92 mm - 3.04 mm
宽度 1.4 mm - 1.4 mm
高度 0.94 mm - 1.02 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 EAR99 - -