APT50N60JCCU2和APT50N60JCU2

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT50N60JCCU2 APT50N60JCU2 MKE38RK600DFELB-TRR

描述 ISOTOP ?升压斩波超级结MOSFET功率模块 ISOTOP? Boost chopper Super Junction MOSFET Power ModuleISOTOP ?升压斩波超级结MOSFET功率模块 ISOTOP® Boost chopper Super Junction MOSFET Power ModuleN-CH 600V 50A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Screw Chassis Surface Mount

引脚数 4 4 -

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 ISOPLUS-SMPD

耗散功率 290000 mW 290W (Tc) -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

上升时间 20 ns 30 ns -

输入电容(Ciss) 6800pF @25V(Vds) 7200pF @25V(Vds) 6800pF @100V(Vds)

下降时间 20 ns 45 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

耗散功率(Max) 290W (Tc) 290W (Tc) -

额定功率(Max) - 290 W -

极性 - - N-CH

连续漏极电流(Ids) - - 50A

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 ISOPLUS-SMPD

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube Bulk Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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