2N1711和JANTX2N1711

对比图

型号 2N1711 JANTX2N1711 JANTX2N1711S

描述 外延平面NPN EPITAXIAL PLANAR NPNNPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTORTO-5 NPN 30V 0.5A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-5-3 TO-5 TO-5

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 0.8 W 0.8 W 0.8 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 30 V 30 V

集电极最大允许电流 - 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 35 @100mA, 10V 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V

额定功率(Max) 800 mW 800 mW 800 mW

工作温度(Max) 175 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 800 mW 800 mW 800 mW

频率 70 MHz - -

额定电压(DC) 75.0 V - -

额定电流 500 mA - -

集电极击穿电压 75.0 V - -

最大电流放大倍数(hFE) 100 - -

封装 TO-5-3 TO-5 TO-5

长度 9.4 mm - -

宽度 9.4 mm - -

高度 1.5 mm - -

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 175℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tube Tray Bag

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead

ECCN代码 - EAR99 -