JANTX2N3766和SDT5906

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX2N3766 SDT5906

描述 NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORNPN 40V 0.5A

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Solitron Devices

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole -

引脚数 3 -

封装 TO-213 -

耗散功率 25 W -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 40 V

最小电流放大倍数(hFE) 40 @500mA, 5V -

额定功率(Max) 25 W -

工作温度(Max) 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -

耗散功率(Max) 25000 mW -

极性 - NPN

集电极最大允许电流 - 0.5A

封装 TO-213 -

材质 Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tray -

RoHS标准 Non-Compliant -

含铅标准 -

ECCN代码 EAR99 -

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