对比图
型号 2N2484 JANS2N2484
描述 NPN硅低功率晶体管 NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR电气特性（ TA = 25℃除非另有说明） ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 250C unless otherwise noted)
数据手册 --
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-18 TO-18
耗散功率 0.36 W -
击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V
最小电流放大倍数(hFE) 225 @10mA, 5V -
额定功率(Max) 360 mW -
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 360 mW 360 mW
针脚数 - -
极性 - NPN
直流电流增益(hFE) - -
集电极最大允许电流 - 0.05A
封装 TO-18 TO-18
材质 Silicon Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active
包装方式 Bulk -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 -
ECCN代码 EAR99 -