对比图
型号 MMBT5401LT1G MMBT5401LT3G 2N5401RLRAG
描述 ON SEMICONDUCTOR MMBT5401LT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -150 V, 300 MHz, 225 mW, -500 mA, 100 hFEON SEMICONDUCTOR MMBT5401LT3G Bipolar (BJT) Single Transistor, AEC-Q101, PNP, -150 V, 300 MHz, 225 mW, -500 mA, 50 hFE 新ON SEMICONDUCTOR 2N5401RLRAG 双极性晶体管
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-92-3
频率 300 MHz 300 MHz 300 MHz
额定电压(DC) -150 V -150 V -150 V
额定电流 -500 mA -500 mA -600 mA
针脚数 3 3 -
极性 PNP, P-Channel PNP PNP
耗散功率 225 mW 225 mW 625 mW
增益频宽积 - 300 MHz 300 MHz
击穿电压(集电极-发射极) 150 V 150 V 150 V
集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.6A
最小电流放大倍数(hFE) 60 @10mA, 5V 60 @10mA, 5V 60 @10mA, 5V
额定功率(Max) 300 mW 300 mW 625 mW
直流电流增益(hFE) 100 50 -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 625 mW
长度 2.9 mm 2.9 mm 5.2 mm
宽度 1.3 mm 1.3 mm 4.19 mm
高度 0.94 mm 0.94 mm 5.33 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-92-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99