对比图
型号 SIB912DK-T1-GE3 SIB914DK-T1-GE3
描述 VISHAY SIB912DK-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 1.5 A, 20 V, 0.18 ohm, 4.5 V, 400 mVVISHAY SIB914DK-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 1.5 A, 8 V, 0.09 ohm, 4.5 V, 800 mV
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
引脚数 6 6
封装 SC-75 SC-75
针脚数 6 6
漏源极电阻 0.18 Ω 0.09 Ω
极性 Dual N-Channel Dual N-Channel
耗散功率 3.1 W 3.1 W
阈值电压 400 mV 800 mV
漏源极电压(Vds) 20 V 8 V
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -
连续漏极电流(Ids) - 1.50 A
封装 SC-75 SC-75
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free