MJB42CT4G和NTE129

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJB42CT4G NTE129 NJVMJB42CT4G

描述 ON SEMICONDUCTOR  MJB42CT4G  单晶体管 双极, PNP, -100 V, 3 MHz, 65 W, -6 A, 15 hFETransistor; PNP; TO-39; 80V (Max.); 80V (Max.); 5V (Max.); 1A (Max.); 25双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 6A 100V TR

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NTE Electronics ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-39 TO-263-3

频率 3 MHz - 3 MHz

额定电压(DC) -100 V - -

额定电流 -6.00 A - -

针脚数 3 - -

极性 NPN, PNP P-Channel, Dual P-Channel PNP

耗散功率 65 W 7 W 65 W

增益频宽积 3 MHz - -

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 80.0 V 100 V

集电极最大允许电流 6A - 6A

最小电流放大倍数(hFE) 15 @3A, 4V - 15 @3A, 4V

额定功率(Max) 2 W - 2 W

直流电流增益(hFE) 15 300 -

工作温度(Max) 150 ℃ 200 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 2000 mW 1250 mW 2000 mW

最大电流放大倍数(hFE) - - 75

集电极击穿电压 - 80.0 V (min) -

长度 10.29 mm - -

宽度 11.05 mm - -

高度 4.83 mm - -

封装 TO-263-3 TO-39 TO-263-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) - -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

HTS代码 - 8541290075 -

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