MT47H64M8CF-25EAIT:G和MT47H64M8CF-25EIT:G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MT47H64M8CF-25EAIT:G MT47H64M8CF-25EIT:G MT47H64M8JN-25E:G

描述 DDR DRAM, 64MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, 8 X 10 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 60Pin FBGADRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 60Pin FBGA

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

封装 FBGA FBGA TFBGA-60

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

工作电压 1.80 V 1.80 V 1.80 V

电源电压 - - 1.7V ~ 1.9V

封装 FBGA FBGA TFBGA-60

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Tray Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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