MTB23P06VT4和NTB30N06G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MTB23P06VT4 NTB30N06G NTB25P06T4G

描述 D2PAK P-CH 60V 23A30 A,60 V 功率MOSFETP 通道功率 MOSFET,30V 至 500V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

引脚数 - - 3

额定电压(DC) -60.0 V 60.0 V -60.0 V

额定电流 -23.0 A 27.0 A -25.0 A

漏源极电阻 - 42.0 mΩ 0.07 Ω

极性 P-CH N-Channel P-Channel

耗散功率 3W (Ta), 90W (Tc) 88.2W (Tc) 120 W

输入电容 - 1.20 nF -

栅电荷 - 46.0 nC -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 - 60.0 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±15.0 V

连续漏极电流(Ids) 23.0 A 27.0 A 27.5 A

输入电容(Ciss) 1620pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds) 1680pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 90 W 88.2 W 120 W

耗散功率(Max) 3W (Ta), 90W (Tc) 88.2W (Tc) 120 W

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

上升时间 98.3 ns - 72 ns

下降时间 - - 190 ns

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 - - 10.29 mm

宽度 - - 9.65 mm

高度 - - 4.83 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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