对比图
型号 FM24CL64B-DGTR FM25CL64B-DG FM24CL64B-DG
描述 FM24CL64 系列 64 Kb (8K x 8) 3 V 3 us 串行 F-RAM 存储器 - TDFN-8F-RAM，Cypress SemiconductorFerroelectric 随机存取存储器 (F-RAM) 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM，用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用，且符合 AEC-Q100 标准。非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗 ### FRAM（铁电 RAM）FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。FM24CL64 系列 64 Kb (8 K x 8) 3 V 3 us 串行 F-RAM 存储器 - TDFN-8
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 TDFN-8 TDFN-8 TDFN-8
存取时间 550 ns - 550 ns
存取时间(Max) 550 ns 20 ns 550 ns
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V
供电电流 - 3 mA 0.3 mA
针脚数 - 8 8
时钟频率 - 20 MHz 1 MHz
电源电压(Max) - 3.65 V 3.65 V
电源电压(Min) - 2.7 V 2.7 V
封装 TDFN-8 TDFN-8 TDFN-8
长度 - 4.5 mm 4 mm
宽度 - 4 mm 4.5 mm
高度 - 0.75 mm 0.7 mm
工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99