对比图
型号 IPP60R520C6XKSA1 IPP60R520CPXKSA1 IPP60R520C6
描述 TO-220 N-CH 600V 8.1ATO-220 N-CH 600V 6.8A金属氧化物半导体场效应晶体管 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 66 W - -
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 66 W 66W (Tc) 66W (Tc)
漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 8.1A 6.8A 8.1A
上升时间 10 ns - 10 ns
输入电容(Ciss) 512pF @100V(Vds) 630pF @100V(Vds) 512pF @100V(Vds)
下降时间 14 ns - 14 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
耗散功率(Max) 66000 mW 66W (Tc) 66W (Tc)
通道数 - - 1
阈值电压 - - 2.5 V
额定功率(Max) - - 66 W
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 - - 10 mm
宽度 - - 4.4 mm
高度 - - 15.65 mm
产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)