ADR4525BRZ-R7和REF03GPZ

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ADR4525BRZ-R7 REF03GPZ ADR431BRZ

描述 超低噪声,高精度 Ultralow Noise, High Accuracy2.5V,Analog Devices### 电压参考,Analog Devices精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。ANALOG DEVICES  ADR431BRZ.  芯片, 电压基准, 2.5V

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) ADI (亚德诺)

分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 DIP-8 SOIC-8

容差 ±0.02 % ±0.6 % ±0.04 %

输入电压(DC) - 4.50V ~ 33.0V 4.50V ~ 18.0V

输出电压 2.5 V 2.5 V 2.5 V

输出电流 10 mA 10 mA 30 mA

供电电流 950 µA 1.4 mA 800 µA

通道数 1 1 1

针脚数 - 8 8

输入电压(Max) 16 V 40 V 20 V

输出电压(Max) 2.5 V 2.515 V 2.501 V

输出电压(Min) 2.5 V 2.5 V 2.5 V

输出电流(Max) 10 mA 10 mA 30 mA

工作温度(Max) 125 ℃ 85 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

输入电压 3V ~ 15V 4.5V ~ 33V 4.5V ~ 18V

额定电流 - 1.40 mA -

电路数 - 1 -

精度 - ±0.08 % -

长度 - 9.27 mm 5 mm

宽度 4 mm 7.24 mm 4 mm

高度 - 3.43 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 DIP-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 125℃

温度系数 ±2 ppm/℃ ±50 ppm/℃ ±3 ppm/℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

军工级 - Yes -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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