对比图
型号 FQP70N10 HUF75339P3 HUF75344P3
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP70N10 晶体管, MOSFET, N沟道, 57 A, 100 V, 23 mohm, 10 V, 4 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR HUF75339P3 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 55 V, 12 mohm, 10 V, 4 VUltraFET® MOSFET，Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 100 V 55.0 V 55.0 V
额定电流 57.0 A 75.0 A 75.0 A
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 23 mΩ 0.012 Ω 8 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 160 W 200 W 285 W
阈值电压 4 V 4 V -
输入电容 - 2.00 nF -
栅电荷 - 60.0 nC -
漏源极电压(Vds) 100 V 55 V 55 V
漏源击穿电压 100 V 55.0 V 55 V
栅源击穿电压 ±25.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 57.0 A 75.0 A 75.0 A
上升时间 470 ns 60 ns 125 ns
输入电容(Ciss) 3300pF @25V(Vds) 2000pF @25V(Vds) 3200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 160 W 200 W 285 W
下降时间 160 ns 25 ns 57 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 160 W 200W (Tc) 285W (Tc)
通道数 - - 1
长度 10.1 mm 10.67 mm 10.67 mm
宽度 4.7 mm 4.83 mm 4.7 mm
高度 9.4 mm 9.4 mm 16.3 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99