对比图
型号 FDP060AN08A0 IXTP160N075T IRFB3207ZPBF
描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET，10A 至 19.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。Trans MOSFET N-CH 75V 160A 3Pin(3+Tab) TO-220INFINEON IRFB3207ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 A, 75 V, 4.1 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) IXYS Semiconductor Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 - - 300 W
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.0048 Ω 6.00 mΩ 0.0041 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 255 W 360 W 300 W
阈值电压 4 V - 4 V
输入电容 5.15 nF - 6920 pF
漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V
连续漏极电流(Ids) 80.0 A 160 A 170A
上升时间 79 ns - 68 ns
输入电容(Ciss) 5150pF @25V(Vds) 4950pF @25V(Vds) 6920pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 255 W 360 W 300 W
下降时间 38 ns - 68 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 255W (Tc) 360W (Tc) 300000 mW
漏源击穿电压 75.0 V 75.0 V -
额定电压(DC) 75.0 V - -
额定电流 80.0 A - -
栅电荷 73.0 nC - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
长度 10.67 mm - 10.66 mm
宽度 4.83 mm - 4.82 mm
高度 9.4 mm - 9.02 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
材质 - - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 EAR99 - -