对比图
描述 620V,15.5A,N沟道MOSFETSTMICROELECTRONICS STW17N62K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15.5 A, 620 V, 0.28 ohm, 10 V, 3.75 V
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-247-3
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 0.28 Ω
极性 - N-Channel
耗散功率 190 W 190 W
阈值电压 - 3.75 V
漏源极电压(Vds) 620 V 620 V
连续漏极电流(Ids) - 15.5A
上升时间 29 ns 29 ns
输入电容(Ciss) 2500pF @50V(Vds) 2500pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 190 W 190 W
下降时间 62 ns 62 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 190W (Tc) 190W (Tc)
长度 - 15.75 mm
宽度 - 5.15 mm
高度 - 20.15 mm
封装 TO-220-3 TO-247-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 -