对比图
型号 SPB20N60C3 SPW11N60C3 SPP04N80C3
描述 INFINEON SPB20N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 VInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-247-3 TO-220-3
额定电压(DC) 650 V 650 V 800 V
额定电流 20.7 A 11.0 A 4.00 A
额定功率 208 W - 63 W
通道数 1 1 1
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 190 mΩ - 1.1 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 208 W 125 W 63 W
阈值电压 3 V - 3 V
输入电容 4.50 nF 1.20 nF -
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 800 V
连续漏极电流(Ids) 20.7 A 11.0 A 4.00 A
上升时间 5 ns 5 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 2400pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds) 570pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 208 W 125 W 63 W
下降时间 4.5 ns 5 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
工作结温(Max) 150 ℃ - -
耗散功率(Max) 208W (Tc) 125W (Tc) 63W (Tc)
栅电荷 - 60.0 nC -
漏源击穿电压 - - 800 V
长度 10.31 mm 16.13 mm 10 mm
宽度 9.25 mm 5.21 mm 4.4 mm
高度 4.57 mm 21.1 mm 15.65 mm
封装 TO-263-3 TO-247-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -