FDMA1027PT和FDMA1029PZ

对比图

型号 FDMA1027PT FDMA1029PZ FDMA1028NZ

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMA1027PT  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -3 A, -20 V, 0.09 ohm, -4.5 V, -700 mVFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMA1029PZ  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 3.1 A, -20 V, 0.06 ohm, -1 V, 1 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMA1028NZ  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.7 A, 20 V, 68 mohm, 1 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 8

封装 WDFN-6 WDFN-6 WDFN-6

针脚数 6 8 8

漏源极电阻 0.09 Ω 0.06 Ω 0.068 Ω

极性 Dual P-Channel P-Channel N-Channel

耗散功率 1.4 W 1.4 W 1.4 W

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 3A 3.10 A 3.70 A

上升时间 11 ns 11 ns 8 ns

输入电容(Ciss) 435pF @10V(Vds) 540pF @10V(Vds) 340pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 700 mW 700 mW 700 mW

下降时间 11 ns 36 ns 3 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

额定电压(DC) - -20.0 V 20.0 V

额定电流 - -3.10 A 3.70 A

阈值电压 - 12 V 1 V

输入电容 - 540 pF 340 pF

栅电荷 - 10.0 nC 6.00 nC

栅源击穿电压 - ±12.0 V ±12.0 V

耗散功率(Max) - 1400 mW 1.4 W

漏源击穿电压 - - 20.0 V

长度 2 mm 2 mm 2 mm

宽度 2 mm 2 mm 2 mm

高度 0.75 mm 0.75 mm 0.75 mm

封装 WDFN-6 WDFN-6 WDFN-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 EAR99