对比图
型号 DD24 FDD24AN06LA0
描述 Power Field-Effect Transistor, 7.1A I(D), 60V, 0.019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3N沟道逻辑电平功率沟槽MOSFET N CHANNEL LOGIC LEVEL POWER TRENCH MOSFET
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管
安装方式 - Surface Mount
封装 D-PAK TO-252-3
额定电压(DC) - 60.0 V
额定电流 - 36.0 A
漏源极电阻 - 91.0 mΩ
极性 - N-Channel
耗散功率 - 75W (Tc)
输入电容 - 1.85 nF
栅电荷 - 16.0 nC
漏源极电压(Vds) - 60 V
漏源击穿电压 - 60.0 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) - 36.0 A
上升时间 - 118 ns
输入电容(Ciss) - 1850pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 75 W
耗散功率(Max) - 75W (Tc)
封装 D-PAK TO-252-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown
包装方式 - Tape
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
ECCN代码 - EAR99