FCD4N60TM和IRLR024TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FCD4N60TM IRLR024TRPBF IRLR024PBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCD4N60TM  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.9 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 5 V功率MOSFET Power MOSFET功率MOSFET Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

漏源极电阻 1 Ω 100 mΩ 100 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 50 W 2.5 W 2.5 W

漏源极电压(Vds) 600 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 3.90 A 14.0 A 14A

上升时间 45 ns 110 ns 110 ns

输入电容(Ciss) 540pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 50 W 2.5 W 2.5 W

下降时间 30 ns 41 ns 41 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 50W (Tc) 2500 mW -

额定电压(DC) 600 V - -

额定电流 3.90 A - -

通道数 1 - -

针脚数 3 - -

阈值电压 5 V - -

输入电容 540 pF - -

栅电荷 16.6 nC - -

漏源击穿电压 600 V - -

栅源击穿电压 ±30.0 V - -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.73 mm - -

宽度 6.22 mm - -

高度 2.39 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - 2000 2000

产品生命周期 Active Active -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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