70T3519S133BFI和70T651S12DRI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 70T3519S133BFI 70T651S12DRI 70T3519S133BFGI

描述 SRAM Chip Sync Dual 2.5V 9M-Bit 256K x 36 15ns/4.2ns 208Pin CABGA静态随机存取存储器 256K X 36 ASYNC DP RAMDual-Port SRAM, 256KX36, 15ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15MM, 1.4MM HEIGHT, 0.8MM PITCH, GREEN, FPBGA-208

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 208 208 208

封装 LFBGA-208 PQFP-208 LFBGA-208

安装方式 - Surface Mount -

电源电压 2.4V ~ 2.6V 2.4V ~ 2.6V 2.4V ~ 2.6V

存取时间 - 12 ns -

工作温度(Max) - 85 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

长度 15.0 mm 28 mm 15.0 mm

宽度 15.0 mm 28 mm 15.0 mm

封装 LFBGA-208 PQFP-208 LFBGA-208

厚度 1.40 mm 3.50 mm 1.40 mm

高度 - 3.5 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bulk Bulk

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

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