对比图
型号 KSD261CGTA KSD261CGTA_NL KSD261GTA
描述 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor低频功率放大器 Low Frequency Power Amplifier低频功率放大器 Low Frequency Power Amplifier
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-92-3 TO-92 TO-92-3
引脚数 3 - -
极性 NPN NPN NPN
击穿电压(集电极-发射极) 20 V 20 V 20 V
集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A
额定电压(DC) 20.0 V - 20.0 V
额定电流 500 mA - 500 mA
耗散功率 500 mW - 0.5 W
最小电流放大倍数(hFE) 120 - 120
最大电流放大倍数(hFE) 400 - 400
额定功率(Max) 500 mW - 500 mW
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃
耗散功率(Max) 500 mW - -
封装 TO-92-3 TO-92 TO-92-3
长度 4.7 mm - 4.58 mm
宽度 3.93 mm - 3.86 mm
高度 5.33 mm - 4.58 mm
产品生命周期 Active Obsolete Unknown
包装方式 Tape - Tape
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
材质 Silicon - -
工作温度 150℃ (TJ) - 150℃ (TJ)