FCPF380N60和IPA60R380P6XKSA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FCPF380N60 IPA60R380P6XKSA1 SPA11N60C3XKSA1

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCPF380N60  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.2 A, 600 V, 0.33 ohm, 10 V, 2.5 VINFINEON  IPA60R380P6XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 600 V, 0.342 ohm, 10 V, 4 VPG-TO220-3-31 整包

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管中高压MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3-31

额定功率 - 31 W -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.33 Ω 0.342 Ω 0.34 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 31 W 31 W 33 W

阈值电压 2.5 V 4 V 3 V

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 10.2A 10.6A 11A

上升时间 - 6 ns 5 ns

输入电容(Ciss) 1665pF @25V(Vds) 877pF @100V(Vds) 1200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 31 W 31 W 33 W

下降时间 - 7 ns 5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 31 W 31W (Tc) 33W (Tc)

通道数 1 - -

漏源击穿电压 650 V - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3-31

长度 10.36 mm - 10.65 mm

宽度 4.9 mm - 4.85 mm

高度 9.19 mm - 9.83 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

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