HGT1S7N60C3D和STGD3NB60HDT4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 HGT1S7N60C3D STGD3NB60HDT4 SGS23N60UFDTU

描述 14A , 600V , UFS系列N沟道IGBT与反并联二极管超高速 14A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast DiodesN沟道6A - 600V - DPAK封装的PowerMESH TM IGBT N-CHANNEL 6A - 600V - DPAK PowerMESH TM IGBT高速开关 High speed switching

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-220 TO-252-3 TO-220-3

耗散功率 60000 mW - 73 W

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 60000 mW - 73000 mW

额定电压(DC) - 600 V 600 V

额定电流 - 6.00 A 12.0 A

击穿电压(集电极-发射极) - 600 V 600 V

反向恢复时间 - 95 ns 60 ns

额定功率(Max) - 50 W 73 W

漏源极电压(Vds) - 600 V -

连续漏极电流(Ids) - 6.00 A -

高度 9.02 mm - 16.07 mm

封装 TO-220 TO-252-3 TO-220-3

长度 - - 10.16 mm

宽度 - - 4.7 mm

产品生命周期 Unknown Unknown Not Recommended for New Designs

包装方式 Rail Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - EAR99

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

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