RFP2N12和STP4N20

对比图

型号 RFP2N12 STP4N20 IRF611

描述 2A ， 120V和150V ， 1.750 Ohm的N通道功率MOSFET 2A, 120V and 150V, 1.750 Ohm, N-Channel Power MOSFETsN - CHANNEL 200V - 1.3欧姆 - 4A TO- 220功率MOS晶体管 N - CHANNEL 200V - 1.3 ohm - 4A TO-220 POWER MOS TRANSISTORPower Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 150V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,

数据手册 ---

制造商 Intersil (英特矽尔) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 - TO-220 -

上升时间 - 6 ns -

输入电容(Ciss) - 290pF @25V(Vds) -

下降时间 - 120 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 60000 mW -

封装 - TO-220 -

产品生命周期 Unknown Not Recommended for New Designs Active

包装方式 - Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant