STP4N20

STP4N20图片1
STP4N20中文资料参数规格
技术参数

上升时间 6 ns

输入电容Ciss 290pF @25VVds

下降时间 120 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 60000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

数据手册

在线购买STP4N20
型号: STP4N20
制造商: ST Microelectronics 意法半导体
描述:N - CHANNEL 200V - 1.3欧姆 - 4A TO- 220功率MOS晶体管 N - CHANNEL 200V - 1.3 ohm - 4A TO-220 POWER MOS TRANSISTOR
替代型号STP4N20
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STP4N20

ST Microelectronics 意法半导体

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