上升时间 6 ns
输入电容Ciss 290pF @25VVds
下降时间 120 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 60000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准
数据手册
STP4N20
ST Microelectronics 意法半导体
当前型号
IRF610PBF
Vishay Siliconix
功能相似
IRF610
RFP2N15
Harris