IXFC24N50和STW28NM50N

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFC24N50 STW28NM50N IXFH21N50F

描述 ISOPLUS N-CH 500V 21ASTMICROELECTRONICS  STW28NM50N  晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 500 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 VIXYS RF  IXFH21N50F  晶体管, 射频FET, 500 V, 21 A, 300 W, 500 kHz, TO-247AD

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 ISOPLUS-220 TO-247-3 TO-247-3

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.135 Ω -

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 230W (Tc) 150 W 300 W

阈值电压 - 3 V -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 21A 21A 21.0 A

上升时间 - 19 ns 12.0 ns

输入电容(Ciss) 4200pF @25V(Vds) 1735pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 150 W -

下降时间 - 52 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) 230W (Tc) 150W (Tc) 300W (Tc)

长度 - 15.75 mm -

宽度 - 5.15 mm -

高度 - 20.15 mm -

封装 ISOPLUS-220 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

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