DMS3017SSD-13和SP8K2TB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DMS3017SSD-13 SP8K2TB

描述 Trans MOSFET N-CH 30V 10A/7.2A Automotive 8Pin SO T/RSP8K2 系列 30 V 6 A 30 mOhm 表面贴装 双 N 沟道 Mosfet - SOIC-8

数据手册 --

制造商 Diodes (美台) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

极性 N-Channel N-CH

耗散功率 1.79 W -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 10A/7.2A 6.00 A

输入电容(Ciss) 1276pF @15V(Vds) 520pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 1.19 W 2 W

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

额定电压(DC) - 30.0 V

额定电流 - 6.00 A

上升时间 - 21.0 ns

封装 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 End of Life Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

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