2N6488和BD909

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N6488 BD909 2N6488G

描述 t-Npn Si-Gen Pur Amp Sw ; Rohs Compliant: Yes互补硅功率晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORSON SEMICONDUCTOR  2N6488G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 5 MHz, 40 W, 15 A, 5 hFE

数据手册 ---

制造商 NTE Electronics ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 分立器件双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 - TO-220-3 TO-220-3

极性 - NPN NPN

耗散功率 - 90 W 40 W

集电极击穿电压 - 80.0 V -

最小电流放大倍数(hFE) - 40 20 @5A, 4V

最大电流放大倍数(hFE) - 250 150

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 90000 mW 1.8 W

频率 - - 5 MHz

额定电压(DC) - - 80.0 V

额定电流 - - 15.0 A

额定功率 - - 1.8 W

针脚数 - - 3

击穿电压(集电极-发射极) - - 80 V

热阻 - - 1.67℃/W (RθJC)

集电极最大允许电流 - - 15A

额定功率(Max) - - 1.8 W

直流电流增益(hFE) - - 5

长度 - 10.4 mm 10.28 mm

宽度 - 4.6 mm 4.82 mm

高度 - 9.15 mm 9.28 mm

封装 - TO-220-3 TO-220-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 - - -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2014/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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