BD909参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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BD909中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 90 W

集电极击穿电压 80.0 V

最小电流放大倍数hFE 40

最大电流放大倍数hFE 250

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 90000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

在线购买BD909

型号： BD909

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：互补硅功率晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

替代型号BD909

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

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