BQ4010YMA-70N和M48Z58-70PC1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BQ4010YMA-70N M48Z58-70PC1 DS1225AD-70+

描述 8Kx8非易失SRAM 8Kx8 Nonvolatile SRAMSTMICROELECTRONICS  M48Z58-70PC1  芯片, SRAM, ZEROPOWER? 64K非易失性SRAM (NVSRAM), 64Kbit, 8K x 8bit, 70ns读/写, 并行, 4.75V至5.25V, EDIP-28

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 28 28 28

封装 DIP-28 DIP-28 DIP-28

电源电压(DC) 5.00 V 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

针脚数 - 28 28

时钟频率 - 1 MHz 70.0 GHz

存取时间 70 ns 70 ns 70 ns

内存容量 - 8000 B 64000 B

工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.25 V

电源电压(Min) 4.5 V 4.75 V 4.75 V

电容 - 10 pF -

供电电流 50 mA 50 mA -

存取时间(Max) 70 ns 70 ns -

封装 DIP-28 DIP-28 DIP-28

长度 37.72 mm 39.88 mm -

宽度 18.42 mm 18.34 mm -

高度 9.4 mm 8.89 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 Tube Each Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

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