SI2308BDS-T1-E3和SI2308BDS-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI2308BDS-T1-E3 SI2308BDS-T1-GE3 IRLML0060TRPBF

描述 N通道60 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 60-V (D-S) MOSFETN通道60 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 60-V (D-S) MOSFETINFINEON  IRLML0060TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 60 V, 0.078 ohm, 10 V, 2.5 V

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) VISHAY (威世) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.13 Ω 0.13 Ω 0.078 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 1.09 W 1.09 W 1.25 W

阈值电压 1 V 3 V 2.5 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 1.9A 2.30 A 2.7A

上升时间 16 ns 16 ns 6.3 ns

正向电压(Max) 1.2 V 1.2 V -

输入电容(Ciss) 190pF @30V(Vds) 190pF @30V(Vds) 290pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1.66 W 1.66 W 1.25 W

下降时间 11 ns 11 ns 4.2 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1090 mW 1.09W (Ta), 1.66W (Tc) 1.25W (Ta)

额定功率 - - 1.25 W

输入电容 - - 290 pF

反向恢复时间 15 ns - -

工作结温 -55℃ ~ 150℃ - -

长度 - 3.04 mm 3.04 mm

宽度 - 1.4 mm 1.4 mm

高度 - 1.02 mm 1.02 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 3000 3000 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

ECCN代码 - EAR99 -

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